这种特殊的结构可以扩大表面积，广东缩短离子扩散长度，并缓冲充放电过程中的体积膨胀应力。

本研究成果有望应用于下一代以数据为中心的高算力、部绿色多功能、低延迟、低功耗的芯片架构。布关Ar等离子体的高能轰击导致Cu表面粒子横向粗化。

然而，于加业Cu-Cu和SiO2-SiO2低温键合所需的理想表面状态难以兼容（如无氧化的Cu表面和亲水的SiO2表面），于加业因此难以通过单一的活化方法直接实现低温混合键合。教学方面获黑龙江省高校课程思政教学竞赛一等奖，快推哈工大青年教师研究生课程教学竞赛一等奖，快推哈工大教学优秀奖一等奖，作为负责人主持承担黑龙江省教研项目2项。如图2所示为Cu、动绿的通SiO2表面以及Cu/SiO2混合表面活化前后表面微观形貌。

高密度的芯片三维集成依赖于细节距的垂直互连结构，色建基于Cu/SiO2混合键合技术能够实现多层芯片的超高密度键合，色建是目前基于冯·诺依曼架构下缩短片间互连，提升算力与带宽，降低延迟与功耗的关键技术。担任IEEE国际集成电路技术与应用学术会议（ICTA）封装分委会主席，筑产知电子封装技术国际会议(ICEPT)学术委员会委员，筑产知中国机械工程学会焊接分会和极端制造分会委员。

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